NoBL Sync SRAM

Infineon Technologies No Bus Latency (NoBL) Burst SRAM eliminates the bus turnaround delay associated with switching between read and write operations to lower latency and increase performance. NoBL SRAM is popular in networking and test equipment applications. Similar to Infineon Standard Synchronous Burst SRAM counterparts, NoBL SRAM is offered in Flow-through and Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 360
倍數: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 144
倍數: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 1
倍數: 1

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 200MHz SRAM 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 144
倍數: 144

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray