非揮發性串列式FRAM

Cypress Semiconductor串列式F-RAM（鐵電隨機記憶體）將ROM的非揮發性資料存儲能力與RAM的快速度相結合。串列式F-RAM具有多種介面和密度選項，包括SPI和I²C介面、行業標準套裝及4KB至4MB的密度。Cypress串列式F-RAM與其他非揮發性存儲技術相比具有三大明顯優勢：快速寫入，極高的耐受性和低功耗。串列式F-RAM 提供100萬億週期耐久性，超越EEPROM的100萬寫入週期限度。這消除了以耗損均衡支撐產品壽命的需求。