FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
接口類型
最高時鐘頻率
組織
封裝/外殼
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝

RAMXEED F-RAM 1Mbit FeRAM with SPI serial interface - DFN8 T&R
規格書
暫無庫存
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

1 Mbit SPI 25 MHz, 30 MHz 128 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel

RAMXEED F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (125C)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (AEC-Q100 125C)
規格書
無庫存前置作業時間 22 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
規格書
無庫存前置作業時間 22 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (125C)
規格書
暫無庫存
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
規格書
無庫存前置作業時間 22 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
捲: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel