Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
封裝
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
規格書
860庫存量
最少： 1
倍數： 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
規格書
1,251庫存量
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
規格書
895庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
規格書
3,954庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1
否
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray