IS43QR16512A-083TBLI

ISSI
870-IS43QR165183TBLI
IS43QR16512A-083TBLI

製造商：

說明：
DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT

規格書:
ECAD模型:
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HK$176.32 HK$1,763.20
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HK$166.62 HK$8,331.00
HK$160.62 HK$16,062.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.2 GHz
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 95 C
品牌: ISSI
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 136
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 192 mA
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

8GB DDR4 SDRAM

ISSI 8GB DDR4 SDRAM are high-speed dynamic random-access memory devices with data transfer rates up to 3200Mbps. The 8GB DDR4 SDRAM is internally organized with eight banks. Two configurations are available: either two bank groups, each with four banks for x16, or four bank groups, each with four banks for x8. The DDR4 SDRAM uses an 8n prefetch architecture to achieve high-speed operation. The 8n prefetch architecture combines an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the ISSI DDR4 SDRAM consists of a single 8n-bit wide, four-clock data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit wide, one-half clock cycle data transfers at the I/O pins.

512Mbx8 & 256Mbx16 DDR4 SDRAM

ISSI512MBX8及256MBX16DDR4 SDRAM是高速動態隨機存取記憶體裝置，內部採用八組設置。雙倍資料傳輸率4同步動態隨機存取存儲體組分為兩組，每組擁有四個DRAM組。DDR4 SDRAM使用8n預取架構實現高速操作。ISSI 4GB DDR4 SDRAM裝置可提供高達2666Mbps的高速資料傳輸速率，是電訊及網路、汽車及工業內建計算的理想選擇。

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