低功率DDR2 SDRAM

Alliance Memory低功率DDR2 SDRAM是高速CMOS和動態存取記憶體,內部配置為8個儲蓄位記憶體裝置。 這些DDR2 SDRAM採用4位元預取DDR架構、可編程READ和WRITE潛伏期、自動溫度補償自我刷新(TCSR)及時鐘停止功能。DDR2 SDRAM在指令/地址(CA)匯流排上採用雙倍數據傳輸率架構,減少了系統內的輸入引腳數量。此CA匯流排用於傳送地址、指令和儲蓄位資訊。這些DDR2 SDRAM透過在DQ(雙向/查分數據匯流排)引腳上採用雙倍數據傳輸率架構,實現高速操作。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray 59庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C32M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C32M32MD2A-25 Reel