32 bit 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 409
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 4Mx32, 133Mhz, RoHS
規格書
240預期28/10/2026
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 120
倍數： 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Kingston C3222PM4CDGUI-U
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz -25c to 85c
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit
Kingston DRAM 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
規格書
前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
規格書
前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
規格書
前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 68
倍數： 68

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 260
倍數： 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 240
倍數： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 4 週
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 136
倍數： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit