4 Gbit 記憶體 IC

記憶體 IC的類型

變更類別視圖
結果: 304
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
GigaDevice GD5F4GM8UEB2GY
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F4GM8UEBIGY
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD5F4GM8UEYJGR
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit DTR/Dual/Quad SPI, SPI
GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 2,100
倍數: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 2,100
倍數: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3AMG2
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 2,100
倍數: 2,100

NAND Flash SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel
GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit