BM3G005MUV-LBE2

ROHM Semiconductor
755-BM3G005MUV-LBE2
BM3G005MUV-LBE2

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

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新產品:
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規格書:
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HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$132.67 HK$132.67
HK$102.67 HK$1,026.70
HK$93.46 HK$9,346.00
完整捲（訂購多個1000）
HK$84.58 HK$84,580.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
VQFN-46
1 Channel
650 V
68.8 A
70 mOhms
- 40 C
+ 105 C
Enhancement
Nano Cap; EcoGaN
品牌: ROHM Semiconductor
下降時間: 2.7 ns
最大工作頻率: 2 MHz
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: GaN HEMT Power Stage
產品類型: GaN FETs
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
技術: Si
標準斷開延遲時間: 19 ns
標準開啟延遲時間: 14 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

Other

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USHTS:
8542390070
ECCN:
EAR99

Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage ICs are designed for demanding electronics systems. These ICs boast a blend of high power density and efficiency. The devices integrate a 650V enhancement GaN HEMT and a silicon driver. ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT Power Stage ICs are ideal for applications that include industrial equipment, power supplies, bridge topology, and adapters.

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