IMT65R010M2HXUMA1

Infineon Technologies
726-IMT65R010M2HXUMA
IMT65R010M2HXUMA1

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 1,914

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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$163.66 HK$163.66
HK$139.58 HK$1,395.80
HK$126.51 HK$12,651.00
完整捲(訂購多個2000)
HK$115.49 HK$230,980.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
168 A
13.1 mOhms
- 7V, + 23 V
4.5 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
681 W
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 9.4 ns
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 24 ns
系列: 650V G2
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
零件號別名: IMT65R010M2H SP006051121
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。