SCTH60N120G2-7

Name: STMicroelectronics SCTH60N120G2-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTH60N120G2-7
Price: 135.47 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-SCTH60N120G2-7

製造商編號：

SCTH60N120G2-7

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

完成您的設計

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

SCTH60N120G2-7 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics SCTH60N120G2-7的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 請聯系洽詢價格和交期

輸入數量：

最少： 1000 多個： 1000

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個1000）
	HK$135.47	HK$135,470.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	H2PAK-7
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	52 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	94 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	390 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	14 ns
封裝:	Reel
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	15 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	32 ns
標準開啟延遲時間:	16 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SCTH60N120G2-7 規格書 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.