|
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
HK$85.16
-
1,293庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PWS
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,293庫存量
|
|
|
HK$85.16
|
|
|
HK$54.01
|
|
|
HK$46.61
|
|
|
HK$41.02
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$40.94
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
HK$81.87
-
351庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT070R70HTO
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
351庫存量
|
|
|
HK$81.87
|
|
|
HK$56.14
|
|
|
HK$42.17
|
|
|
HK$34.44
|
|
|
HK$34.36
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
HK$56.31
-
675庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT080R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
675庫存量
|
|
|
HK$56.31
|
|
|
HK$37.89
|
|
|
HK$27.45
|
|
|
HK$25.73
|
|
|
HK$22.36
|
|
|
HK$20.96
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
RF放大器 1-22GHz 15W PA
- ADPA1112AEJZ
- Analog Devices
-
受限供貨情況
-
新產品
|
Mouser 元件編號
584-ADPA1112AEJZ
新產品
|
Analog Devices
|
RF放大器 1-22GHz 15W PA
|
|
|
|
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
HK$34.36
-
1,901庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC2090
新產品
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
1,901庫存量
|
|
|
HK$34.36
|
|
|
HK$22.61
|
|
|
HK$15.86
|
|
|
HK$13.23
|
|
|
HK$11.01
|
|
|
HK$10.77
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
HK$79.98
-
800庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC2091
新產品
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
800庫存量
|
|
|
HK$79.98
|
|
|
HK$54.83
|
|
|
HK$40.94
|
|
|
HK$33.37
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
閘極驅動器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
HK$70.45
-
2,356庫存量
-
3,000預期21/10/2026
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC23102
新產品
|
EPC
|
閘極驅動器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
|
|
2,356庫存量
3,000預期21/10/2026
|
|
|
HK$70.45
|
|
|
HK$54.66
|
|
|
HK$50.72
|
|
|
HK$46.36
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$39.62
|
|
|
HK$44.31
|
|
|
HK$43.07
|
|
|
HK$41.92
|
|
|
HK$39.62
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$23.59
-
2,091庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R140D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,091庫存量
|
|
|
HK$23.59
|
|
|
HK$15.29
|
|
|
HK$10.52
|
|
|
HK$8.47
|
|
|
HK$7.04
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$7.91
|
|
|
HK$6.45
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$15.45
-
3,606庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R500D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3,606庫存量
|
|
|
HK$15.45
|
|
|
HK$9.86
|
|
|
HK$6.58
|
|
|
HK$5.20
|
|
|
HK$4.26
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$4.75
|
|
|
HK$3.81
|
|
|
HK$3.56
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$62.31
-
2,352庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L1414B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,352庫存量
|
|
|
HK$62.31
|
|
|
HK$45.21
|
|
|
HK$42.25
|
|
|
HK$36.00
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$28.44
|
|
|
HK$35.26
|
|
|
HK$31.81
|
|
|
HK$31.56
|
|
|
HK$28.44
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$42.74
-
2,371庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L2727B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,371庫存量
|
|
|
HK$42.74
|
|
|
HK$32.39
|
|
|
HK$29.76
|
|
|
HK$26.88
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$24.50
|
|
|
HK$25.56
|
|
|
HK$25.07
|
|
|
HK$24.58
|
|
|
HK$24.50
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$33.70
-
2,082庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L5050B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,082庫存量
|
|
|
HK$33.70
|
|
|
HK$25.24
|
|
|
HK$23.18
|
|
|
HK$20.80
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$16.44
|
|
|
HK$19.73
|
|
|
HK$19.15
|
|
|
HK$18.41
|
|
|
HK$16.44
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$61.16
-
2,678庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI65D1414A3MSXU
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,678庫存量
|
|
|
HK$61.16
|
|
|
HK$41.35
|
|
|
HK$30.17
|
|
|
HK$29.43
|
|
|
HK$25.65
|
|
|
HK$23.92
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$11.01
-
2,767庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGK048B041SXTSA1
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
2,767庫存量
|
|
|
HK$11.01
|
|
|
HK$7.27
|
|
|
HK$6.05
|
|
|
HK$5.81
|
|
|
HK$4.94
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$5.61
|
|
|
HK$4.81
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
AC/DC轉換器 20 W (85-580 VAC)
- INN3624C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
HK$24.82
-
1,440庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
869-INN3624C-H606-TL
新產品
|
Power Integrations
|
AC/DC轉換器 20 W (85-580 VAC)
|
|
1,440庫存量
|
|
|
HK$24.82
|
|
|
HK$18.66
|
|
|
HK$17.02
|
|
|
HK$15.37
|
|
|
HK$13.07
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$14.55
|
|
|
HK$14.22
|
|
|
HK$13.89
|
|
|
HK$12.82
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
AC/DC轉換器 35 W (85-580 VAC)
- INN3626C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
HK$28.19
-
1,592庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
869-INN3626C-H606-TL
新產品
|
Power Integrations
|
AC/DC轉換器 35 W (85-580 VAC)
|
|
1,592庫存量
|
|
|
HK$28.19
|
|
|
HK$21.21
|
|
|
HK$19.48
|
|
|
HK$17.51
|
|
|
HK$14.96
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$16.60
|
|
|
HK$16.36
|
|
|
HK$15.95
|
|
|
HK$14.63
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
RF放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
- MAPC-A1501-AS000
- MACOM
-
1:
HK$5,012.64
-
13庫存量
-
工廠指定訂單
|
Mouser 元件編號
937-MAPC-A1501-AS000
工廠指定訂單
|
MACOM
|
RF放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
|
|
13庫存量
|
|
|
HK$5,012.64
|
|
|
HK$4,865.01
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH60030D-GP4
- MACOM
-
10:
HK$1,024.87
-
10庫存量
|
Mouser 元件編號
941-CGH60030D
|
MACOM
|
氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
10庫存量
|
|
|
HK$1,024.87
|
|
|
HK$973.58
|
|
|
檢視
|
|
|
報價
|
|
最少： 10
倍數： 10
|
|
|
|
|
閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624YREQR
- Texas Instruments
-
1:
HK$59.51
-
1,600庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
595-LMG3624YREQR
新產品
|
Texas Instruments
|
閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,600庫存量
|
|
|
HK$59.51
|
|
|
HK$42.91
|
|
|
HK$41.26
|
|
|
HK$33.87
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$27.21
|
|
|
HK$32.96
|
|
|
HK$32.06
|
|
|
HK$31.89
|
|
|
HK$27.21
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
AC/DC轉換器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G04DBR2G
- NCP1568G04DBR2G
- onsemi
-
1:
HK$39.05
-
2,418庫存量
-
NRND
|
Mouser 元件編號
863-NCP1568G04DBR2G
NRND
|
onsemi
|
AC/DC轉換器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2,418庫存量
|
|
|
HK$39.05
|
|
|
HK$31.81
|
|
|
HK$29.92
|
|
|
HK$27.95
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$26.22
|
|
|
HK$27.04
|
|
|
HK$26.72
|
|
|
HK$26.63
|
|
|
HK$26.22
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
HK$23.02
-
679庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT350R70GTK
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
679庫存量
|
|
|
HK$23.02
|
|
|
HK$14.88
|
|
|
HK$10.19
|
|
|
HK$8.19
|
|
|
HK$6.84
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$7.65
|
|
|
HK$6.25
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$19.81
-
1,980庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R200D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
1,980庫存量
|
|
|
HK$19.81
|
|
|
HK$12.74
|
|
|
HK$8.63
|
|
|
HK$6.89
|
|
|
HK$5.71
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$6.33
|
|
|
HK$5.15
|
|
|
HK$5.07
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R270D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$17.76
-
2,087庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R270D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,087庫存量
|
|
|
HK$17.76
|
|
|
HK$11.34
|
|
|
HK$7.67
|
|
|
HK$6.09
|
|
|
HK$5.03
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$5.58
|
|
|
HK$4.52
|
|
|
HK$4.37
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$55.81
-
45庫存量
-
3,000預期30/6/2026
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L1111B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
45庫存量
3,000預期30/6/2026
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HK$55.81
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HK$42.99
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HK$39.78
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HK$36.25
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檢視
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HK$29.51
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HK$34.61
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HK$33.54
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HK$32.72
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HK$29.51
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最少： 1
倍數： 1
:
3,000
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氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK120B041SXTSA1
- Infineon Technologies
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1:
HK$5.18
-
2,970庫存量
-
新產品
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Mouser 元件編號
726-IGK120B041SXTSA1
新產品
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Infineon Technologies
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氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
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2,970庫存量
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HK$5.18
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HK$3.30
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HK$2.69
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HK$2.56
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HK$2.34
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檢視
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HK$2.54
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HK$2.15
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HK$2.08
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最少： 1
倍數： 1
:
4,000
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|
香港
