GaN 半導體

結果: 813
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
MACOM 氮化鎵場效應管 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
50庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 50

Infineon Technologies 閘極驅動器 LOW SIDE DRIVERS 3,460庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Power Integrations AC/DC轉換器 85 W (85-265 VAC) 1,047庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Power Integrations AC/DC轉換器 85 W (85-265 VAC) 1,810庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ 1,400庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Texas Instruments 閘極驅動器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Qorvo RF放大器 8W Reconfigurable S/X-Band PA
25庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

MACOM 氮化鎵場效應管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 50

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi AC/DC轉換器 ACTIVE CLAMP FLYBACK 2,322庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Qorvo 氮化鎵場效應管 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor 1,451庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Texas Instruments 閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR 110庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 376庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1,316庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,300

Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1,419庫存量
最少: 1
倍數: 1

STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 356庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,800

Analog Devices RF放大器 1-22GHz 15W PA

EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,926庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5 1,917庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5 2,093庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5 3,655庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Infineon Technologies 閘極驅動器 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,352庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 閘極驅動器 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,392庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 閘極驅動器 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2,100庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000