|
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
- RBE037N10R1SZN6#HB0
- Renesas Electronics
-
1:
HK$23.67
-
無庫存前置作業時間 12 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
968-E037N10R1SZN6HB0
新產品
|
Renesas Electronics
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
|
|
無庫存前置作業時間 12 週
|
|
|
HK$23.67
|
|
|
HK$15.21
|
|
|
HK$10.36
|
|
|
HK$8.80
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$7.01
|
|
|
HK$7.76
|
|
|
HK$7.34
|
|
|
HK$7.01
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
- RBE039N15R1SZPW#KB0
- Renesas Electronics
-
1,300:
HK$27.29
-
無庫存前置作業時間 12 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
968-E039N15R1SZPWKB0
新產品
|
Renesas Electronics
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
|
|
無庫存前置作業時間 12 週
|
|
最少： 1,300
倍數： 1,300
:
1,300
|
|
|
|
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
- RBE039N15R1SZQ4#GB0
- Renesas Electronics
-
2,000:
HK$22.03
-
無庫存前置作業時間 12 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
968-E039N15R1SZQ4GB0
新產品
|
Renesas Electronics
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
|
|
無庫存前置作業時間 12 週
|
|
最少： 2,000
倍數： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
- RBE067N10R1SZN6#HB0
- Renesas Electronics
-
5,000:
HK$4.88
-
無庫存前置作業時間 12 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
968-E067N10R1SZN6HB0
新產品
|
Renesas Electronics
|
MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
|
|
無庫存前置作業時間 12 週
|
|
最少： 5,000
倍數： 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
RF放大器 SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
- VNA-28B+
- Mini-Circuits
-
1:
HK$298.30
-
無庫存前置作業時間 22 週
|
Mouser 元件編號
139-VNA-28B
|
Mini-Circuits
|
RF放大器 SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
|
|
無庫存前置作業時間 22 週
|
|
|
HK$298.30
|
|
|
HK$61.81
|
|
|
HK$59.35
|
|
|
HK$56.72
|
|
|
HK$53.68
|
|
|
HK$52.44
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
500
|
|
|
|
|
RF放大器 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
- CMX90A705A6-R705
- CML Micro
-
500:
HK$522.71
-
無庫存前置作業時間 27 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
226-CMX90A705A6-R705
新產品
|
CML Micro
|
RF放大器 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
|
|
無庫存前置作業時間 27 週
|
|
最少： 500
倍數： 500
:
500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
- TP70H135G4PJSGB-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
HK$9.54
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-P70H135G4PJSGBTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
最少： 5,000
倍數： 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
- TP70H135G4PLSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
HK$10.60
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-P70H135G4PLSGBTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$10.60
|
|
|
HK$10.19
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
- TP65H035G4YS
- Renesas Electronics
-
1,200:
HK$46.94
-
無庫存前置作業時間 26 週
|
Mouser 元件編號
227-TP65H035G4YS
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
|
|
無庫存前置作業時間 26 週
|
|
最少： 1,200
倍數： 1,200
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
- TP65H050G4QS-TR
- Renesas Electronics
-
2,000:
HK$34.69
-
無庫存前置作業時間 16 週
|
Mouser 元件編號
227-TP65H050G4QS-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 2,000
倍數： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
- TP65H070G4QS-TR
- Renesas Electronics
-
2,000:
HK$24.66
-
無庫存前置作業時間 16 週
|
Mouser 元件編號
227-TP65H070G4QS-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
|
|
無庫存前置作業時間 16 週
|
|
最少： 2,000
倍數： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H100G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
HK$17.02
-
無庫存前置作業時間 14 週
|
Mouser 元件編號
227-TP65H100G4LSGBTR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
- TP70H130G4PLSG-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
HK$10.60
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP70H130G4PLSGTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$10.60
|
|
|
HK$10.19
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
- TP70H130G4PPS
- Renesas Electronics
-
1:
HK$33.21
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP70H130G4PPS
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$33.21
|
|
|
HK$21.78
|
|
|
HK$16.19
|
|
|
HK$13.56
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$12.66
|
|
|
HK$11.67
|
|
|
HK$10.60
|
|
最少： 1
倍數： 1
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H150G4LSG-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
HK$10.93
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP70H150G4LSG-TR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$10.93
|
|
|
HK$10.60
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H150G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
HK$10.93
-
無庫存前置作業時間 14 週
|
Mouser 元件編號
227-TP70H150G4LSGBTR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$10.93
|
|
|
HK$10.60
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
- TP70H240G4ZS-TR
- Renesas Electronics
-
2,500:
HK$6.05
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP70H240G4ZSTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$6.05
|
|
|
HK$5.70
|
|
|
HK$5.61
|
|
最少： 2,500
倍數： 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H300G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
HK$6.68
-
無庫存前置作業時間 14 週
|
Mouser 元件編號
227-TP70H300G4JSGBTR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$6.68
|
|
|
HK$6.51
|
|
最少： 5,000
倍數： 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H300G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
HK$6.79
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP70H300G4LSGBTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$6.79
|
|
|
HK$6.62
|
|
最少： 3,000
倍數： 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
HK$4.71
-
無庫存前置作業時間 14 週
|
Mouser 元件編號
227-TP70H480G4JSG-TR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$4.71
|
|
|
HK$4.68
|
|
|
報價
|
|
|
報價
|
|
最少： 5,000
倍數： 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H480G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
HK$4.71
-
無庫存前置作業時間 14 週
|
Mouser 元件編號
227-TP70H480G4JSGBTR
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$4.71
|
|
|
HK$4.68
|
|
|
報價
|
|
|
報價
|
|
最少： 5,000
倍數： 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
- TP70H480G4ZS-TR
- Renesas Electronics
-
2,500:
HK$4.74
-
無庫存前置作業時間 14 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP70H480G4ZSTR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
|
|
無庫存前置作業時間 14 週
|
|
|
HK$4.74
|
|
|
HK$4.16
|
|
最少： 2,500
倍數： 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
閘極驅動器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN1L
- STMicroelectronics
-
1,560:
HK$38.88
-
無庫存前置作業時間 26 週
|
Mouser 元件編號
511-MASTERGAN1L
|
STMicroelectronics
|
閘極驅動器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
無庫存前置作業時間 26 週
|
|
最少： 1,560
倍數： 260
|
|
|
|
|
閘極驅動器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
- MASTERGAN3
- STMicroelectronics
-
1,560:
HK$31.07
-
無庫存前置作業時間 26 週
|
Mouser 元件編號
511-MASTERGAN3
|
STMicroelectronics
|
閘極驅動器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
|
|
無庫存前置作業時間 26 週
|
|
最少： 1,560
倍數： 260
|
|
|
|
|
閘極驅動器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN4L
- STMicroelectronics
-
1,560:
HK$30.50
-
無庫存前置作業時間 26 週
|
Mouser 元件編號
511-MASTERGAN4L
|
STMicroelectronics
|
閘極驅動器 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
無庫存前置作業時間 26 週
|
|
最少： 1,560
倍數： 260
|
|
|
香港
