GaN 半導體

結果: 801
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
MACOM RF放大器 35W GaN MMIC 28V 2 to 6GHz Flange
20預期7/8/2026
最少: 1
倍數: 1

MACOM RF放大器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
20預期7/8/2026
最少: 1
倍數: 1

Texas Instruments 閘極驅動器 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
411預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1
最大: 30
: 250

Texas Instruments 電氣隔離式閘極驅動器 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540ADWK
4,000預期14/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Power Integrations AC/DC轉換器 65 W (85-265 VAC)
6,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
1,828預期7/7/2026
最少: 1
倍數: 1

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500預期28/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500預期28/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2,500預期23/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
5,992預期23/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
3,995預期15/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

ROHM Semiconductor 氮化鎵場效應管 HEMT POWER STAGE IC
1,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Qorvo RF放大器 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS
20預期27/8/2026
最少: 1
倍數: 1

Qorvo RF放大器 20W, 17.3-21.2 GHz PA
10預期27/8/2026
最少: 1
倍數: 1

Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
19預期10/7/2026
最少: 1
倍數: 1

Qorvo RF放大器 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
10預期12/8/2026
最少: 10
倍數: 10

Qorvo RF放大器 .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB
50預期3/8/2026
最少: 25
倍數: 25

Qorvo RF放大器 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
20預期10/7/2026
最少: 10
倍數: 10

Qorvo RF放大器 2-20GHz 10W GAN AMPLIFIER
10預期10/7/2026
最少: 10
倍數: 10

Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
25預期10/7/2026
最少: 1
倍數: 1

onsemi 閘極驅動器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2,975預期3/8/2026
最少: 1
倍數: 1
最大: 20
: 3,000

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 75m, DPAK
2,500預期14/8/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
2,500預期14/8/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
2,500預期14/8/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

onsemi 氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 132m, 8x8
2,500預期14/8/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250