GaN 半導體

結果: 801
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 5庫存量
1,200預期14/8/2026
最少: 1
倍數: 1
: 200

MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
296預期28/8/2026
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 LEGACY GAN SYSTEMS 205庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16 1庫存量
2,500預期13/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Analog Devices RF放大器 High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA

Analog Devices RF放大器 GaN Driver Ampllifier

Texas Instruments 閘極驅動器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT
17,986預期5/10/2026
最少: 1
倍數: 1
最大: 170
: 3,000

Texas Instruments 閘極驅動器 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRR
4,750在途量
最少: 1
倍數: 1
: 250

EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
15,000預期31/7/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Infineon Technologies 氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES
3,538預期6/8/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,800

ROHM Semiconductor 氮化鎵場效應管 EcoGaN, 650V 59.8A TOLL-8N, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
2,000預期30/11/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
Qorvo RF放大器 Ku-Band 15.4-17.7 GHZ, 35W
30在途量
最少: 1
倍數: 1

Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
500預期11/9/2026
最少: 1
倍數: 1
: 500

Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 45W GaN 48V
500在途量
最少: 1
倍數: 1
: 250

Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
75預期10/7/2026
最少: 1
倍數: 1

Qorvo RF放大器 1-6GHz, 40W, PA Module
40預期23/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1,500在途量
最少: 1
倍數: 1

Qorvo 氮化鎵場效應管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
355預期10/7/2026
最少: 1
倍數: 1

onsemi 閘極驅動器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2,975預期31/8/2026
最少: 1
倍數: 1
最大: 20
: 3,000

onsemi 閘極驅動器 SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3,000預期17/8/2026
最少: 1
倍數: 1
最大: 300
: 3,000

MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
400預期18/9/2026
最少: 1
倍數: 1

MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
567在途量
最少: 1
倍數: 1

MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
21預期25/9/2026
最少: 1
倍數: 1

MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750預期15/9/2026
最少: 1
倍數: 1
: 250

MACOM 氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
694在途量
最少: 1
倍數: 1