8 Gbit 半導體

半導體的類型

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結果: 183
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.5V DDR3 A-Temp 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI NAND快閃 SLC NAND, 8Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500