8 Gbit 半導體

半導體的類型

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結果: 183
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 2,200
倍數: 220
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND快閃 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,100
倍數: 2,100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND快閃 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 960
倍數: 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND快閃 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,100
倍數: 2,100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND快閃 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 960
倍數: 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1,900
倍數: 1,900

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 無庫存前置作業時間 44 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 44 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000