8 Gbit 半導體

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結果: 183
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
2,038預期22/6/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, IT 6庫存量
3,800在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ COMMERCIAL TEMP, B Die (MT41K512M16HA-125:A) 342庫存量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 1庫存量
最少: 1
倍數: 1

Micron NAND快閃 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP 114庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100
: 2,000

Alliance Memory NAND快閃 SLC Parallel NAND快閃, 8Gb, x8, 1.8V, 4bit ECC,45ns, 63b FBGA, Automotive Grade 110庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ COMMERCIAL TEMP , C Die(MT41K512M16HA-125:A) 53庫存量
132預期27/7/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s 534庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8G, 1G X 8, 1.35V, 78-ball FBGA, 933 Mhz, Commercial Temp - Tray 114庫存量
440預期29/5/2026
最少: 1
倍數: 1

Micron NAND快閃 SLC 8G 1GX8 FBGA 33庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100
: 1,000

Micron NAND快閃 SLC 8G 1GX8 FBGA 275庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100
: 1,000

Micron DRAM DDR3 8Gbit 16 96/144TFBGA 2 AT 3庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

Micron DRAM DDR3 8Gbit 16 96/144TFBGA 2 IT 2庫存量
3,672預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

Kioxia America NAND快閃 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) 100庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI IS43TR81024BL-107MBLI
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT 126庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 1庫存量
136預期14/12/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp 40庫存量
6,392在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
1,075在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,720在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5,677在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
3,349在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
2,163在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
809預期7/8/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
952在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
360預期21/1/2027
最少: 1
倍數: 1