結果: 391
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Kioxia America NAND快閃 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) 38庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND快閃 SPI SLC NAND快閃, 2Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6) 301庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V 130庫存量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L 110庫存量
2,280預期12/7/2027
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 2G 3V x8 4-bit NAND快閃 2庫存量
192在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, AUTO TEMP - Tray 18庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 64M X 32, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray 23庫存量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR4, 2G, 128M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 19庫存量
最少: 1
倍數: 1

GigaDevice NOR快閃
4,771在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 2Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
2,200在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NAND快閃 Serial NAND 3V 2Gbit x4 WSON ECC-Free
3,949在途量
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Macronix NAND快閃 Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
4,000在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NOR快閃 Serial NOR 1.8V 2Gbit x4 I/O BGA-24
3,275在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

Macronix NOR快閃 Serial NOR 1.8V 2Gbit x4 I/O BGA-24 QE=1 +105C
1,440在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
3,243預期21/9/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16
2,726在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
1,500預期28/12/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

ISSI NAND快閃 2G 3.3V x8 1-bit NAND快閃 I-Temp
1,500在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
190預期27/7/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16, IT
183在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
209在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
241預期10/8/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
484預期4/2/2027
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L
1,459預期19/7/2027
最少: 1
倍數: 1
: 1,500