933 MHz 半導體

半導體的類型

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Industrial Temp 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Industrial Temp 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Commercial Temp 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Commercial Temp 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

Infineon Technologies CY7C4042KV13-933FCXC
Infineon Technologies SRAM SYNC 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 600
倍數: 600

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,900
倍數: 1,900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1,900
倍數: 1,900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,000
倍數: 1
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 34 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 190
倍數: 190
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 前置作業時間 30 週
最少: 1
倍數: 1