PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 4.36 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

771-PMDXB550UNEZ

製造商編號：

PMDXB550UNEZ

製造商：

Nexperia

說明：

MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

規格書:

PMDXB550UNEZ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Nexperia
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-1010-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	590 mA
Rds On - 漏-源電阻:	670 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	450 mV
Qg - 閘極充電:	1.05 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	4.03 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Nexperia
配置:	Dual
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	3 ns
互導 - 最小值:	600 mS
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	7 ns
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	12 ns
標準開啟延遲時間:	4 ns
零件號別名:	934069326147
每件重量:	1.290 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.