SICWx碳化矽MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICWx碳化矽MOSFET是一款高速開關650V SiC MOSFET。這些MOSFET採用SiC MOSFET技術,非常適合高壓應用,可在惡劣的工業環境中可靠運作。SICWx MOSFET採用低RDS(on) 和低閘極電荷設計,以減少開關損耗並有助於提高整體系統效率。增效設計和TO-247封裝可提供卓越的熱性能,而3引腳或4引腳(開爾文源引腳)選項則增強了通用性。SICWx MOSFET採用堅固耐用的設計,具有雪崩能力,可實現更好的熱管理和效率。這些MOSFET非常適合用於電源、電訊、再生能源系統和電機驅動。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Micro Commercial Components (MCC) 碳化矽MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4 360庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化矽MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 177庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化矽MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 336庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化矽MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4 355庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化矽MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB 337庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) 碳化矽MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4 360庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement