似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 10.44 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SISH892BDN-T1-GE3

製造商編號：

SISH892BDN-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

規格書:

SISH892BDN-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay / Siliconix SISH892BDN-T1-GE3的資訊

庫存量: 34,149

庫存：: 34,149 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$10.44	HK$10.44
	HK$6.58	HK$65.80
	HK$4.35	HK$435.00
	HK$3.39	HK$1,695.00
	HK$3.07	HK$3,070.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$2.67	HK$8,010.00
	HK$2.47	HK$14,820.00
	HK$2.46	HK$22,140.00
	HK$2.43	HK$58,320.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK-1212-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	30.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.4 V
Qg - 閘極充電:	17.4 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	29 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	4 ns
互導 - 最小值:	33 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5 ns
系列:	SISH
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	19 ns
標準開啟延遲時間:	9 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是下一代TrenchFET^®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK^® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的R_DS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK^® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。

SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET^® Gen IV power MOSFET featuring 100% R_g and UIS tested. The SISH892BDN MOSFET offers a 100V V_DS, 20A I_D, and 8nC Q_g. The Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET is available in a PowerPAK® 1212-8SH package and has an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C.