SISS7xDN TrenchFET MOSFETs

Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETs use TrenchFET® with ThunderFET technology that optimizes the balance of RDS, QG, QSW, and QOSS. These MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. The SISS7xDN TrenchFET MOSFETs find applications in primary side switching, synchronous rectification, DC/DC converters, motor drive control, and load switches. These MOSFETs are available in PowerPAK 1212-8S package.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
規格書
6,619庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 150 V 25.5 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
規格書
8,990庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 125 V 31 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel