RBRxx30ATL Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low VF diodes with 30V reverse direct voltage (VR). These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in either TO-263S (D2PAK) or TO-252 (DPAK) packages. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low VF, high reliability, and operate at -55°C to +150°C temperature range. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
安裝風格
封裝/外殼
配置
技術
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最高工作溫度
封裝
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
規格書
945庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 10A, TO-263S (D2PAK)
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 30 V 550 mV 50 A 100 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 20A, TO-263S (D2PAK)
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 30 V 550 mV 100 A 200 uA + 150 C Reel
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 30A, TO-263S (D2PAK)
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 30 V 550 mV 100 A 300 uA + 150 C Reel