CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 5205.4 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-CGHV40200PP

製造商編號：

CGHV40200PP

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

規格書:

CGHV40200PP 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$5,205.40	HK$5,205.40
	HK$4,564.16	HK$45,641.60

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
付運限制：	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	440199
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	8.7 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	166 W
品牌:	MACOM
配置:	Single
開發套件:	CGHV40200PP-AMP1
增益:	16.1 dB
最大工作頻率:	1.9 GHz
最低工作頻率:	1.7 GHz
輸出功率:	250 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	25
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V, 2 V

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CGHV40200PP 規格書 (PDF)

PCN

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

CGHV40200PP GaN HEMT

MACOM CGHV40200PP Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from a 50V rail and offers a broadband solution to RF and microwave applications. This transistor provides high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, making it ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV40200PP GaN HEMT is available in a 4-lead flange package. Typical applications include 2-way radio, broadband amplifiers, radar amplifiers, and test instrumentation.