MP1918 100 V半橋GaN MOSFET驅動器
Monolithic Power Systems (MPS) MP1918 100V半橋GaN MOSFET驅動器設計用於驅動增強型氮化鎵FET或N溝道MOSFET。Monolithic Power Systems (MPS) MP1918具有獨立的高側(HS)和低側(LS) PWM輸入,並對HS驅動器電壓使用自舉技術。此裝置的工作電壓高達100V,並採用充電技術,可防止HS驅動器電壓超過VCC,從而保護閘極不超過GaN FET最大閘極源電壓額定值。
