GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 開關配置 最低頻率 最高頻率 插入損耗 關斷隔離 - 標準值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 技術 系列 封裝
Qorvo RF 開關 IC 5-6000MHz SPDT IL .25dB Iso 39dB 3,473庫存量
2,500預期27/7/2026
最少: 1
倍數: 1
最大: 750
: 2,500

SPDT 5 MHz 6 GHz 0.46 dB 29 dB - 40 C + 105 C SMD/SMT LGA-9 Si QPC1022 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo RF 開關 IC 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 100
倍數: 100
: 100

SP3T 150 MHz 2.8 GHz 0.3 dB to 1 dB 30 dB + 275 C SMD/SMT QFN-24 GaN QPC1006 Reel