用於重複性雪崩的ASFET

用於重複性雪崩的Nexperia ASFET提供40VDS至60VDS最高漏源電壓、16ID至40ID漏極電流及7.9QGD柵極漏極電荷。ASFET完全符合AEC-Q101的汽車標準,具有高健壯性、可靠性及LFPAK銅夾封裝技術。用於重複性雪崩的Nexperia ASFET理想適用於12V、24V及48V汽車系統、重複雪崩拓撲及引擎控制應用。

結果: 5
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Nexperia MOSFET BUK9K61-100L/SOT1205/LFPAK56D 1,375庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 40A 1,305庫存量
3,000預期8/2/2027
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 16A 1,158庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 18.2A
1,429預期8/2/2027
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 40 V 18.2 A 29 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 60V 22A
2,790預期8/2/2027
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 22 A 35 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel