NXH015F120M3F1PTG

onsemi
863-XH015F120M3F1PTG
NXH015F120M3F1PTG

製造商:

說明:
MOSFET模組 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 28

庫存:
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工廠前置作業時間:
19 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$559.54 HK$559.54
HK$488.51 HK$4,885.10

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Press Fit
42.5 mm x 33.8 mm
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
77 A
19 mOhms
- 10 V, 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 175 C
198 W
NXH015F120M3F1PTG
Tray
品牌: onsemi
配置: Quad
下降時間: 7.5 ns
高度: 12 mm
長度: 42.5 mm
產品: MOSFET Modules
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 8.6 ns
原廠包裝數量: 28
子類別: Discrete and Power Modules
類型: Full Bridge
標準斷開延遲時間: 103 ns
標準開啟延遲時間: 33.3 ns
Vf - 順向電壓: 4.67 V
寬度: 33.8 mm
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge topology and a thermistor with Al2O3 DBC in an F1 package. This power module features at +22V/-10V gate source voltage, 77A continuous drain current @ TC = 80°C (TJ = 175°C), 198W maximum power dissipation, and 12.7mm creepage distance. The NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET comes with pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The SiC module is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include a solar inverters, uninterruptible power supplies, electric vehicle charging stations, and industrial power.