RGTV 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGTV 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGTV IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and a short circuit withstand time 2μs. The ROHM RGTV 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for Solar Inverter, UPS, Welding, IH, and PFC applications.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
規格書
456庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
規格書
846庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 60A Field Stop Trench IGBT
規格書
439庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
規格書
449庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
規格書
399庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube