NTBLS1D5N10MCTXG

onsemi
863-NTBLS1D5N10MCTXG
NTBLS1D5N10MCTXG

製造商:

說明:
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

ECAD模型:
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庫存量: 2,738

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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$61.81 HK$61.81
HK$46.69 HK$466.90
HK$36.41 HK$3,641.00
HK$32.47 HK$32,470.00
完整捲(訂購多個2000)
HK$32.39 HK$64,780.00
4,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
312 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 90 ns
互導 - 最小值: 230 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 71 ns
系列: NTBLS1D5N10MC
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 83 ns
標準開啟延遲時間: 39 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS1D5N10MC Single N-Channel MOSFET has a low RDS(on), ensuring efficient power management. The onsemi NTBLS1D5N10MC features a low QG and capacitance to enhance performance by minimizing charge/discharge times. This MOSFET significantly reduces switching noise and electromagnetic interference (EMI), contributing to a cleaner signal environment.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量,供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力,以便在需要時使用。