結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 6,796庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 1,248庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 186 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK 770庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB 53,692庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB 2,683庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 58 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 173A D2PAK 1,574庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 173 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 142 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel