NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules

onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT Power Modules are 1200V, 800A rated half-bridge IGBT power module. These modules integrate Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen 7 diodes to provide low conduction losses and switching losses. This enables designers to achieve high efficiency and superior reliability. Typical applications include motor drives, servo drives, Commercial Agriculture Vehicles (CAV), solar drives, and UPS.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
onsemi IGBT 模組 1200V 800A QDUAL3 60庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT 模組 1200V 800A QDUAL3
60在途量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray