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PSMN1R9-80SSEJ

Name: Nexperia PSMN1R9-80SSEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R9-80SSEJ
Price: 60.5 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

771-PSMN1R9-80SSEJ

製造商編號：

PSMN1R9-80SSEJ

製造商：

Nexperia

說明：

MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.

規格書:

PSMN1R9-80SSEJ 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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庫存量: 46

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在途量:: 3,818

預期19/4/2027
工廠前置作業時間：: 26

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$60.50	HK$60.50
	HK$40.52	HK$405.20
	HK$32.55	HK$3,255.00
	HK$28.93	HK$14,465.00
	HK$23.92	HK$23,920.00
完整捲（訂購多個2000）
	HK$23.26	HK$46,520.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Nexperia
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-1235-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	286 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.6 V
Qg - 閘極充電:	155 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	340 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Nexperia
配置:	Single
下降時間:	46 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	42 ns
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	79 ns
標準開啟延遲時間:	46 ns
零件號別名:	934662574118

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若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

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所選屬性: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

篩選文檔:

規格書

PSMN1R9-80SSEJ 規格書 (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

PSMN1R9 & PSMN2R3 N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN1R9 and PSMN2R3 N-Channel MOSFETs are designed for extreme performance and reliability. The Nexperia PSMN devices are part of Nexperia's Application Specific MOSFETs (ASFETs) lineup. The MOSFETs are specifically engineered for hot-swap and soft-start applications and are qualified to operate at a temperature of up to 175°C. The devices boast low R_DSon and enhanced safe operating area performance, making them an ideal choice for demanding power management applications. The MOSFETs copper-clip LFPAK88 package provides high reliability and is robust enough to handle substantial inrush currents during turn-on. With low R_DSon and optimized efficiency, the PSMN1R9 and PSMN2R3 are standout solutions for power management systems.