High Power TVS Diodes in SMD Package

Bourns High Power TVS Diodes in SMD Package provides a 20% reduction in peak clamping voltage compared to the equivalent through-hole device because of its lower lead inductance. The result is reduced electrical stress on the protected circuitry. In addition, assembly should be simplified and costs can be reduced by eliminating the extra design step in cases where the Bourns Power TVS diode is the only through-hole component on the printed circuit board.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 極性
通道數
操作電壓
終端類型
鉗位電壓
擊穿電壓
Ipp - 峰值脈衝電流
Cd - 二極管電容
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 3kA 58V BI Surface Mt High Temp
規格書
38庫存量
最少： 1
倍數： 1
Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 3 kA 2.3 nF - 55 C + 125 C PTVS3-SH Tray
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 3kA 76V BI Surface Mt High Temp
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1
Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 3 kA 1.7 nF - 55 C + 125 C PTVS3-SH Tray
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 10kA 58V BI Surface Mt High Temp
規格書
20預期12/8/2026
最少： 1
倍數： 1

Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 10 kA 8 nF - 55 C + 125 C PTVS10-SH Tray
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 10kA 76V BI Surface Mt High Temp
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 10 kA 6 nF - 55 C + 125 C PTVS10-SH Tray
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 86V 10kA BI-DIRECTIONAL
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 400
倍數： 400
: 400

Bidirectional 1 Channel 86 V SMD/SMT 157 V 96 V 10 kA 5 nF - 55 C + 125 C PTVS10-M Reel
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 6 kA 58V BIDIRECT POWERTVS DIODE
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 6 kA 4.5 nF - 55 C + 125 C PTVS6-SH Tray
Bourns ESD 保護二極體 / TVS 二極體 6 kA 75V BIDIRECT POWERTVS DIODE
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 6 kA 3.3 nF - 55 C + 125 C PTVS6-SH Tray