LMG1025/LMG1025-Q1半橋GaN驅動器
Texas Instruments LMG1025/LMG1025-Q1半橋GaN驅動器 設計用於以同步降壓、升壓或半橋配置驅動高側和低側增強模式氮化鎵(GaN) FET。該裝置擁有整合式100 V靴帶式二極管和用於高側和低側輸出的獨立輸入,以實現最大的控制靈活性。高側偏置電壓透過自舉技術生成。其內部鉗位電壓為5V,可防止閘極電壓超過增強型GaN FET的最大閘極源額定電壓。LMG1205/LMG1025-Q1的輸入與TTL邏輯相容,無論VDD 電壓如何,都可以承受高達14V的輸入電壓。LMG1205/LMG1205-Q1具有分柵輸出,可靈活獨立調整開啟和關閉強度。
