SIHF080N60E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHF080N60E-GE3
SIHF080N60E-GE3

製造商：

說明：
MOSFET TO220 600V 14A E SERIES

規格書:
ECAD模型:
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總價
HK$46.20 HK$46.20
HK$24.17 HK$241.70
HK$22.03 HK$2,203.00
HK$20.88 HK$10,440.00
HK$18.66 HK$18,660.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
Tube
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 31 ns
互導 - 最小值: 4.6 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 96 ns
系列: SIHF E
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 37 ns
標準開啟延遲時間: 31 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Technical Resources

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合規守則
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

SiHF080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs feature 4th generation E series technology in a TO-220 FULLPAK package. The SiHF080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low effective capacitance (Co(er)). The Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge.

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