CDMS24783-120 SL

Central Semiconductor
610-CDM24783120SL
CDMS24783-120 SL

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

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規格書:
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HK$167.36 HK$1,673.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Central Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
18 A
150 mOhms
20 V
4 V
55 C
- 55 C
+ 175 C
28 W
Depletion
品牌: Central Semiconductor
配置: Single
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

合規守則
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
菲律賓
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.

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