FGH50T65UPD

onsemi
512-FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

製造商：

說明：
IGBT 650 V 100 A 240 W

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 81

庫存：
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工廠前置作業時間：
8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$62.55 HK$62.55
HK$36.25 HK$362.50
HK$30.41 HK$3,649.20
HK$30.25 HK$15,427.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
100 A
340 W
- 55 C
+ 175 C
FGH50T65UPD
Tube
品牌: onsemi
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
每件重量: 6.390 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

FGAFx0N60 Field Stop IGBTs

onsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.

FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs

onsemi FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs use innovative field stop trench IGBT technology. These IGBTs offer optimum performance. The FGHx0T65 IGBTs feature positive temperature coefficient for easy parallel operating, high current capability, high input impedance, and tightened parameter distribution. Typical applications include solar inverters, UPS, welders, and digital power generators that require low conduction and switching losses.

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