NCV8406DD1CR2G

Name: onsemi NCV8406DD1CR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV8406DD1CR2G
Price: 10.6 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NCV8406DD1CR2G

製造商編號：

NCV8406DD1CR2G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NCV8406DD1CR2G 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOIC-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Rds On - 漏-源電阻:	210 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 14 V, 14 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.2 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Dual
下降時間:	692 ns
濕度敏感:	Yes
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	486 ns
系列:	NCV8406DD1CR2G
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2-Channel
標準斷開延遲時間:	1600 ns
標準開啟延遲時間:	127 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NCV8406DD1CR2G 規格書

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 菲律賓
擴散國:: 捷克共和國

出貨時，國家可能會有所變更。

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