結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
10預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
10預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
10預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
10預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
10預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-DP3
10預期25/1/2027
最少: 1
倍數: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C