QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier

Qorvo QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.

結果: 2
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 操作頻率
工作電源電壓
運作供電電流
增益
類型
安裝風格
技術
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Qorvo RF放大器 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
規格書
72庫存量
最少： 1
倍數： 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Bag
Qorvo RF放大器 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 250
倍數： 250
捲: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Reel