RY7P250BMTBC

Name: ROHM Semiconductor RY7P250BMTBC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RY7P250BMTBC
Price: 67.57 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

755-RY7P250BMTBC

製造商編號：

RY7P250BMTBC

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

壽命週期:

新產品:

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規格書:

RY7P250BMTBC 規格書

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN8080-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	300 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.86 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	170 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	340 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	200 ns
互導 - 最小值:	27 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	90 ns
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	195 ns
標準開啟延遲時間:	72 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

RY7P250BMTBC 規格書

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RY7P250BM Power MOSFET

ROHM Semiconductor RY7P250BM Power MOSFET is designed with a low on-resistance of 1.86mΩ (maximum) and comes in a DFN8080 high-power package. This power MOSFET features 100V drain-source voltage (V_DSS), ±300A drain current (I_D), and 340W power dissipation (P_D). The RY7P250BM MOSFET offers a wide Safe Operating Area (SOA) that helps the MOSFET withstand higher voltages and currents without damage, enhancing robustness and reliability. The ROHM RY7P250BM MOSFET is suitable for Hot Swap Controller (HSC) applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.