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NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 93.05 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTMT045N065SC1

製造商編號：

NTMT045N065SC1

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS PQFN88 650V

規格書:

NTMT045N065SC1 規格書

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TDFN-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	55 A
Rds On - 漏-源電阻:	50 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
Qg - 閘極充電:	105 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	187 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	7 ns
互導 - 最小值:	16 S
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	14 ns
系列:	NTMT045N065SC1
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	26 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTMT045N065SC1 規格書

Material Composition Disclosure

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 菲律賓
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

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