NVXK2TR80WDT

onsemi
863-NVXK2TR80WDT
NVXK2TR80WDT

製造商：

說明：
MOSFET模組 APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

壽命週期:
Mouser新產品
規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$423.91 HK$423.91
HK$348.61 HK$3,486.10
HK$309.24 HK$37,108.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
82 W
NVXK2TR80WDT
Tube
品牌: onsemi
配置: Dual Half-Bridge
下降時間: 9 ns
高度: 5.8 mm
長度: 44.2 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 12 ns
原廠包裝數量: 60
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: EliteSiC
類型: Half-Bridge
標準開啟延遲時間: 12 ns
寬度: 29 mm
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

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