RN汽車用內建偏壓電阻器電晶體

Toshiba RN汽車用內建偏壓電阻器電晶體 (BRT) 符合AEC-Q101標準,並針對切換、逆變器電路、介面連接和驅動器電路應用最佳化。偏壓電阻器為整合式設計,可減少所需的外部零件數量,同時縮小系統尺寸並省下組裝時間。Toshiba RN汽車偏壓電阻器BRT提供廣泛的電阻範圍,適用於各種電路設計。

所有結果 (163)

選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F 4,910庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F 1,344庫存量
6,000預期10/11/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 13庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
5,996預期30/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
32,000預期11/9/2026
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
2,990預期11/9/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
8,000預期16/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 雙極結晶體管 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 8,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=22kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=22kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=47kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=47kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 4,000

Toshiba 數位電晶體 AUTO AEC-Q NPN x 2 Q1BSR=10kO, Q2BSR=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 4,000