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SI3493DDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3493DDV-T1-GE3
Price: 4.44 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SI3493DDV-T1-GE3

製造商編號：

SI3493DDV-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

規格書:

SI3493DDV-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 10,255

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

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完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$4.44	HK$4.44
	HK$2.67	HK$26.70
	HK$1.69	HK$169.00
	HK$1.28	HK$640.00
	HK$1.15	HK$1,150.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.00	HK$3,000.00
	HK$0.888	HK$5,328.00
	HK$0.773	HK$6,957.00
	HK$0.707	HK$16,968.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSOP-6
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	20 V
Id - C連續漏極電流:	8 A
Rds On - 漏-源電阻:	20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	52.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	3.6 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	40 ns
互導 - 最小值:	30 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	20 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	115 ns
標準開啟延遲時間:	8 ns
每件重量:	20 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SI3493DDV-T1-GE3 規格書

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET delivers low on-resistance of 0.05Ω (maximum) at -1.8V_GS. This power MOSFET is available in a single-configuration TSOP-6 package size. Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications, including load switches, battery switches, PA switches, and battery management in mobile devices.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.