SIA906EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA906EDJ-GE3
SIA906EDJ-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$7.48 HK$7.48
HK$4.59 HK$45.90
HK$3.14 HK$314.00
HK$2.47 HK$1,235.00
HK$2.19 HK$2,190.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$1.87 HK$5,610.00
HK$1.66 HK$9,960.00
HK$1.56 HK$14,040.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
46 mOhms
- 8 V, 8 V
600 mV
950 pC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 12 ns
互導 - 最小值: 14 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 18 ns
系列: SIA
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 12 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
零件號別名: SIA906EDJ-GE3
每件重量: 28 mg
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

整合式MOSFET解決方案

Vishay整合式MOSFET解決方案將多項元件整合至單一晶片，使其擁有更高的功率密度和效率，設計更簡化，而且還能減少材料清單 (BOM) 成本。這些單晶和多晶MOSFET整合了蕭特基二極體與ESD防護等功能。這些MOSFET具備低導通電阻的N和P通道TrenchFET®技術，以及低熱阻。

SiA906EDJ Dual N-Channel MOSFET

Vishay Siliconix SiA906EDJ Dual N-Channel MOSFET is designed to save space and increase power efficiency in portable electronics. It features the industry's lowest on-resistance for 20V (12V VGS) devices at 4.5V gate drives in the 2x2mm footprint area.

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