CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 668.61 HKD
Availability: OutOfStock

Mouser 編號：

941-CGHV27030S

製造商編號：

CGHV27030S

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

規格書:

CGHV27030S 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-12
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	3.6 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	12 W
品牌:	MACOM
配置:	Single
增益:	21 dB
最大漏柵電壓:	50 V
最大工作頻率:	2.7 GHz
最低工作頻率:	0 Hz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	30 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V, 2 V
每件重量:	282.130 mg

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規格書

CGHV27030S 規格書 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.